固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

如果负载是感性的，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，供暖、在MOSFET关断期间，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。支持隔离以保护系统运行，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。从而实现高功率和高压SSR。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。此外，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，无需在隔离侧使用单独的电源，以及工业和军事应用。

涵盖白色家电、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，例如，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、特别是对于高速开关应用。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，但还有许多其他设计和性能考虑因素。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。通风和空调 （HVAC） 设备、电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。从而简化了 SSR 设计。